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      Sy chip ic BUR51 TO-3 supporto per telaio di alta qualità Transistor bipolare BJT TRANS NPN ad alta corrente parti IC Transistor BUR51

      Ancora nessuna recensione2 ordini
      Shenzhen Sy Chips Technology Co., Ltd.Fornitore multi-specialità5 yrsCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      BUR51
      Tipo
      -
      Marca
      Original Brand
      Tipo del pacchetto
      Durante il foro

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      -
      Descrizione
      -
      Punto d'origine
      Mexico
      Contenitore/Involucro
      -
      D/c
      -
      Applicazione
      -
      Tipo Fornitore
      Altro
      Croce di Riferimento
      -
      Media Disponibile
      Foto
      品名
      BUR51
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      -
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      -
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      -
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      -
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Potenza-Max
      -
      Frequenza-di Transizione
      -
      Temperatura di funzionamento
      -
      Tipo di Ontaggio
      -
      Resistenza-Base (R1)
      -
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      -
      Tipo FET
      -
      FET Caratteristica
      -
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      -
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      -
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenza
      -
      Corrente Nominale (Ampere)
      -
      Figura di rumore
      -
      Potenza di Uscita
      -
      -Tensione Nominale
      -
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT
      -
      Configurazione
      -
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      -
      Ingresso
      -
      NTC Termistore
      -
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      -
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Consumo di corrente (Id)-Max
      -
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      -
      Resistenza-RDS (On)
      -
      Tensione
      -
      Tensione-Uscita
      -
      -Tensione di Offset (Vt)
      -
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      -
      Corrente-Valle (Iv)
      -
      Corrente di Picco-Picco
      -
      Applicazioni
      -
      Nome del prodotto
      BUR51
      Categoria del prodotto
      Transistori bipolari
      Stile di montaggio
      Attraverso il foro
      Pacchetto
      TO-3
      Polarità del transistor
      NPN
      Configurazione
      Singolo
      Tipo di prodotto
      BJT
      Sottocategoria
      Transistor
      Descrizione
      Alta corrente
      Tipo di montaggio
      Supporto del telaio

      Imballaggio e consegna

      Pacchetto
      Tray
      Orificio
      SHENZHEN
      Unità di vendita:
      Articolo singolo
      Dimensioni della confezione singola:
      10X10X10 cm
      Peso loro per unità:
      0.500 kg

      Capacità di fornitura

      Capacità di fornitura
      2000 Parte/parti per Month
      Mostra di più

      Tempi di consegna

      Quantità (parti)1 - 100 > 100
      Tempo previsto (giorni)7Da negoziare
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      Campioni

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      Logo personalizzato
      Min. ordine: 500
      Per ulteriori dettagli sulla personalizzazione, invia messaggio al fornitore

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      >= 1 parti
      36,77 ฿

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