Transistor MOSFET di potenza originale nuovo industriale 20A 500V TO-247 20 n50 G20N50C SIHG20N50C

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Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.2 yrs

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

SIHG20N50C

Tipo

IGBT Transistor

Marca

original

Tipo del pacchetto

Other

Altri attributi

Tipo di montaggio

Surface Mount

Descrizione

Igbt transistor

Punto d'origine

Guangdong, China

Contenitore/Involucro

Tipo

electronic components

Temperatura di funzionamento

-, 150°C (TJ)

D/c

Tipo Fornitore

Agenzia, ODM, Produttore originale, Rivenditore

Media Disponibile

Scheda tecnica, Foto

品名

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-, 400mV @ 50mA, 1A

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

-, 100nA (ICBO)

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-, 100 @ 100mA, 2V

Potenza-Max

-, 1W

Frequenza-di Transizione

-, 150MHz

Resistenza-Base (R1)

Resistenza-Emettitore Base (R2)

Tipo FET

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

Frequenza

Corrente Nominale (Ampere)

Figura di rumore

Potenza di Uscita

-Tensione Nominale

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

Vgs (Max)

Tipo IGBT

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

Ingresso

NTC Termistore

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Consumo di corrente (Id)-Max

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

Resistenza-RDS (On)

Tensione

Tensione-Uscita

-Tensione di Offset (Vt)

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

Corrente-Valle (Iv)

Corrente di Picco-Picco

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