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Personalizzato 4 ~ 6 pollici S.I. Substrato GaAs GaAs pHEMT materiale semiconduttore epiwafer
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Shanghai Ganova Electronic Information Co., Ltd.
2 yrs
CN
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Attributi chiave
Altri attributi
Punto d'origine
China
Marca
GaNova
Numero del Modello
JDWY5-001-001
Tipo
GaAs pHEMT Epip-wafer
Nome del prodotto
GaAs pHEMT Epip-wafer
Imballaggio e consegna
Pacchetto
Scatola di cartone
Orificio
Shanghai
Capacità di fornitura
Capacità di fornitura
100000 Parte/parti per Month
Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore
>= 3 parti
1.132,62 €
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