Transistor MOS N canale 100V 130A IRFB4310PBF a-220 MOS Transistor IC 4310 IRFB4310 IRFB4310PBF YR140N10

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Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd.7 yrs

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

IRFB4310PBF to220

Tipo

MOSFET

Marca

Tipo del pacchetto

Superficie di Montaggio

Altri attributi

Tipo di montaggio

Nullo

Descrizione

Mosfet

Punto d'origine

Jiangsu, China

Contenitore/Involucro

To220, To247, To3P

D/c

Nullo

Applicazione

Interruttore di alimentazione Circuiti

Tipo Fornitore

Produttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore, Altro, Other

Croce di Riferimento

IRFB4310PBF to220

Media Disponibile

Scheda tecnica, Foto, EDA/Modelli CAD, Altro

品名

Yr75 t60 TO3P

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

100A

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

600V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

Nullo

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

100A

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Nullo

Potenza-Max

Frequenza-di Transizione

Nullo

Temperatura di funzionamento

-Da 55 a 150 ℃

Tipo di Ontaggio

Through Hole

Resistenza-Base (R1)

Nullo

Resistenza-Emettitore Base (R2)

Nullo

Tipo FET

Nullo

FET Caratteristica

Carburo di silicio (SiC)

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

Nullo

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

Nullo

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Nullo

Vgs (th) (Max) @ Id

Nullo

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

Nullo

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

Nullo

Frequenza

Nullo

Corrente Nominale (Ampere)

Nullo

Figura di rumore

Nullo

Potenza di Uscita

Nullo

-Tensione Nominale

Nullo

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

Nullo

Vgs (Max)

Nullo

Tipo IGBT

Nullo

Configurazione

Singolo

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

Nullo

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

Nullo

Ingresso

Nullo

NTC Termistore

Nullo

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

Nullo

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Nullo

Consumo di corrente (Id)-Max

Nullo

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

Nullo

Resistenza-RDS (On)

Nullo

Tensione

Nullo

Tensione-Uscita

Nullo

-Tensione di Offset (Vt)

Nullo

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

Nullo

Corrente-Valle (Iv)

Nullo

Corrente di Picco-Picco

Applicazioni

Nullo

Tipo di transistore

Igbt

Giunzione al caso (DC)

1.3 ℃/W

Rth(j-a)

60 ℃/W

Tensione di picco del gate

VDRM/VRRM

600V

IT(AV)

Esso (RMS)

12A

ITSM

100-110A

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Dit/dt

50 bis/noi

Corrente di gate di picco

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