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      Transistor MOSFET IPB120 P-canale 40V 120A TO263-3 IPB120P04P4L03ATMA2

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      Shenzhen Hongsen Yingtong Technology Co., Ltd.1 yrCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      IPB120P04P4L03ATMA2
      Tipo
      Originale
      Marca
      ON
      Tipo del pacchetto
      Superficie di Montaggio

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      Supporto superficiale, Standard
      Descrizione
      Originale
      Punto d'origine
      US;GUA
      Contenitore/Involucro
      TO263-3-2
      Tipo
      MOSFET, Transistor IGBT
      Temperatura di funzionamento
      -55 °C ~ 175 °C (TJ), -40 °C ~ 175 °C(TJ)
      Serie
      Transistor
      D/c
      2022 +
      Applicazione
      Generale
      Tipo Fornitore
      Rivenditore
      Croce di Riferimento
      IPB120
      Media Disponibile
      Scheda tecnica, Foto, EDA/Modelli CAD, Altro
      品名
      Moschetti-singolo
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      100mA
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      45V
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      -
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      -
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Potenza-Max
      300mW
      Frequenza-di Transizione
      -
      Resistenza-Base (R1)
      Originale
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      -
      Tipo FET
      Canale N
      FET Caratteristica
      Standard di
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      40 V
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      120A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      3.4mOhm @ 100A, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2.2V @ 340uA
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      234 nC @ 10 V
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      15000 pF @ 25 V
      Frequenza
      -
      Corrente Nominale (Ampere)
      -
      Figura di rumore
      -
      Potenza di Uscita
      -
      -Tensione Nominale
      -
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT
      -
      Configurazione
      Standard
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      -
      Ingresso
      -
      NTC Termistore
      -
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      -
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Consumo di corrente (Id)-Max
      -
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      -
      Resistenza-RDS (On)
      -
      Tensione
      -
      Tensione-Uscita
      -
      -Tensione di Offset (Vt)
      -
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      -
      Corrente-Valle (Iv)
      -
      Corrente di Picco-Picco
      -
      Applicazioni
      -
      Tipo di transistore
      2 sc5200 2 sa1943 transistor originale
      Servizio Bom list
      Si prega di contattarci
      Tipo di prodotto
      (Illimitato)
      Condizione
      Originale nuovo
      Temperatura
      Si prega di fare riferimento alla scheda tecnica per i dettagli
      ROHS
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      Grado
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      Prezzo
      Prezzo di fabbrica
      Specificazione
      Scheda tecnica
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      Tempi di consegna

      Quantità (parti)1 - 10001001 - 100000 > 100000
      Tempo previsto (giorni)17Da negoziare

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      10 - 499 parti
      497 IDR
      >= 500 parti
      332 IDR

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