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Wafer SiC 4H-N /4H-SEMI/6H-N /6H-SEMI /HPSI P/D/R per diverso orientamento 2/3/4/6/8 pollici
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Attributi chiave
Altri attributi
Punto d'origine
Shanghai, China
Marca
XINKEHUI
Numero del Modello
SiC wafer
Tipo
SiC Wafer
Growth Method
Physical Vapor Transport
Structure
Hexagonal, Single Crystal
Diameter
Up to 150mm, 200mm
Thickness
350um (n-type, 3inchSI), 500um (SI)
Grades
P D R
Thermal Conductivity
370 (W/mK) at Room Temperature
Thermal Expansion Coefficient
4.5 (10-6K-1)
Specific Heat (25)
0.71 (J g-1 K-1)
Polytype
4H/6H
Resistivity
~0.02 Ohm-cm/> 1.1011 Ohm-cm
Imballaggio e consegna
Pacchetto
Imballato da pellicola ottica protettiva per animali domestici
Capacità di fornitura
Capacità di fornitura
1000 Parte/parti per Week
Tempi di consegna
| Quantità (parti) | 1 - 100 | > 100 |
| Tempo previsto (giorni) | 180 | Da negoziare |
Personalizzazione
Logo personalizzato
Min. ordine: 1000
Imballaggio su misura
Min. ordine: 1000
Grafici di personalizzazione
Min. ordine: 1000
Per ulteriori dettagli sulla personalizzazione, invia messaggio al fornitore
Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore
5 - 99 parti
1.350,00 USD
>= 100 parti
1.250,00 USD
Varianti
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