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      STD3N62K3 nuovo originale DPAK TO-252 MOSFET Transistor di potenziamento N-canale 620V/2.7A 3 n62k3

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      Shenzhen Jinlibo Electronic Technology Co., Ltd3 yrsCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      original
      Tipo
      Transistor
      Marca
      original
      Tipo del pacchetto
      Superficie di Montaggio

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      Transistor
      Descrizione
      Transistor
      Punto d'origine
      Guangdong, China
      Contenitore/Involucro
      Standard
      Serie
      Standard
      D/c
      Nuovo
      Applicazione
      Transistor
      Tipo Fornitore
      Altro
      Croce di Riferimento
      Standard
      Media Disponibile
      Scheda tecnica
      品名
      Transistor
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      Standard
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      Standard
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      Standard
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      Standard
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard
      Potenza-Max
      Standard
      Frequenza-di Transizione
      Standard
      Temperatura di funzionamento
      Standard
      Tipo di Ontaggio
      Superficie di Montaggio
      Resistenza-Base (R1)
      Standard
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      Standard
      Tipo FET
      Standard
      FET Caratteristica
      Transistor
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      Standard
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      Standard
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Standard
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      Standard
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      Standard
      Frequenza
      Standard
      Corrente Nominale (Ampere)
      Standard
      Figura di rumore
      Standard
      Potenza di Uscita
      Standard
      -Tensione Nominale
      Standard
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      Standard
      Vgs (Max)
      Standard
      Tipo IGBT
      Standard
      Configurazione
      Transistor
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      Standard
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      Standard
      Ingresso
      Standard
      NTC Termistore
      Standard
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      Standard
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Standard
      Consumo di corrente (Id)-Max
      Standard
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      Standard
      Resistenza-RDS (On)
      Standard
      Tensione
      Standard
      Tensione-Uscita
      Standard
      -Tensione di Offset (Vt)
      Standard
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      Standard
      Corrente-Valle (Iv)
      Standard
      Corrente di Picco-Picco
      Standard
      Applicazioni
      Standard
      DC
      Nuovo

      Capacità di fornitura

      Capacità di fornitura
      5000 Parte/parti per Day
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      Tempo previsto (giorni)4Da negoziare

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