Chip muslimy 20 n60c3 circuiti integrati transistor MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO-220 TO-220-3 SPP20N60 SPP20N muslimate

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Brand: Ali
SKU: 1600131512153

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Shenzhen Sy Chips Technology Co., Ltd.

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

SPP20N60C3

Tipo

Originale

Marca

Original Brand

Tipo del pacchetto

Durante il foro

Altri attributi

Tipo di montaggio

Attraverso il foro

Descrizione

MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220-3

Punto d'origine

original

Contenitore/Involucro

Tipo

MOSFET

Temperatura di funzionamento

-55 ℃ ~ 150 ℃

Serie

SPP20N60C3

D/c

Nuovo

Applicazione

Gestione della potenza

Tipo Fornitore

Produttore originale

Croce di Riferimento

品名

SPP20N60C3

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Potenza-Max

Frequenza-di Transizione

Temperatura di funzionamento

-55℃ ~ 150℃

Tipo di Ontaggio

Resistenza-Base (R1)

Resistenza-Emettitore Base (R2)

Tipo FET

FET Caratteristica

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

Frequenza

Corrente Nominale (Ampere)

Figura di rumore

Potenza di Uscita

-Tensione Nominale

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

Vgs (Max)

Tipo IGBT

Configurazione

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

Ingresso

NTC Termistore

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Consumo di corrente (Id)-Max

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

Resistenza-RDS (On)

Tensione

Tensione-Uscita

-Tensione di Offset (Vt)

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

Corrente-Valle (Iv)

Corrente di Picco-Picco

Applicazioni

Gestione della potenza

Tipo di transistore

MOSFET

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