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Wafer SOI silicio su Wafer a semiconduttore isolante

Attributi chiave

Altri attributi

Punto d'origine
Shanghai
Marca
Xinkehui
Numero del Modello
silicon wafer
Tipo
SIO Wafer
Metodo di
Fusion bonding
Diametro
2/3/4/6/8/12 pollici
Dispositivo di spessore
2-300 um
Tolleranza
+/-0.5 um-2 um
Di orientamento
100/111/110 o altri
Conducibilità
Di tipo P/N-tipo/Intrinseca
Resistività
0.001-100000 ohm-cm
Drogante
Boro/Fosforo/Antimonio/Arsenico
ossido di spessore
500A-4 um
Maniglia wafer
Maniglia wafer

Imballaggio e consegna

Pacchetto
Singolo wafer
Orificio
shanghai

Capacità di fornitura

Capacità di fornitura
5000 Parte/parti per Year

Tempi di consegna

Quantità (parti)1 - 10 > 10
Tempo previsto (giorni)14Da negoziare

Personalizzazione

Logo personalizzato
Min. ordine: 25
Imballaggio su misura
Min. ordine: 25
Grafici di personalizzazione
Min. ordine: 25

Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore

1 - 4 parti
9,34 €
>= 5 parti
1,87 €

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