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Wafer SOI silicio su Wafer a semiconduttore isolante
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#2
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Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.
3 yrs
CN
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Attributi chiave
Altri attributi
Punto d'origine
Shanghai
Marca
Xinkehui
Numero del Modello
silicon wafer
Tipo
SIO Wafer
Metodo di
Fusion bonding
Diametro
2/3/4/6/8/12 pollici
Dispositivo di spessore
2-300 um
Tolleranza
+/-0.5 um-2 um
Di orientamento
100/111/110 o altri
Conducibilità
Di tipo P/N-tipo/Intrinseca
Resistività
0.001-100000 ohm-cm
Drogante
Boro/Fosforo/Antimonio/Arsenico
ossido di spessore
500A-4 um
Maniglia wafer
Maniglia wafer
Imballaggio e consegna
Pacchetto
Singolo wafer
Orificio
shanghai
Capacità di fornitura
Capacità di fornitura
5000 Parte/parti per Year
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Quantità (parti)
1 - 10
> 10
Tempo previsto (giorni)
14
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