SI7938DP-T1-GE3 transistor mospet Array FETs 2 N-canale di potenza Mosfet (ossido di metallo) doppio drenaggio PowerPAK-SO-8 potenziamento
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Attributi chiave
Specifica di base del settore
Numero del Modello
SI7938DP-T1-GE3
Tipo
MOSFET
Marca
original brand
Tipo del pacchetto
Superficie di Montaggio
Altri attributi
Tipo di montaggio
Surface Mount
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Punto d'origine
original
Contenitore/Involucro
PowerPAK SO-8 Dual
Tipo
2 N-Channel
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET
D/c
newest
Applicazione
Di Uso generale
Tipo Fornitore
Rivenditore
Croce di Riferimento
SI7938DP-T1-GE3CT
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto, EDA/Modelli CAD
品名
transistors
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
original standard
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
original standard
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
original standard
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
original standard
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
original standard
Potenza-Max
46W
Frequenza-di Transizione
original standard
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C(TJ)
Tipo di Ontaggio
Superficie di Montaggio
Resistenza-Base (R1)
original standard
Resistenza-Emettitore Base (R2)
original standard
Tipo FET
N-Channel
FET Caratteristica
same as original
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
40 V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 18.5A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250uA
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 20V
Frequenza
original standard
Corrente Nominale (Ampere)
same as original
Figura di rumore
original standard
Potenza di Uscita
46W
-Tensione Nominale
original standard
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
same as original
Vgs (Max)
original standard
Tipo IGBT
original standard
Configurazione
Dual Dual Drain
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
original standard
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
same as original
Ingresso
original standard
NTC Termistore
same as original
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
original standard
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
same as original
Consumo di corrente (Id)-Max
original standard
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
same as original
Resistenza-RDS (On)
original standard
Tensione
same as original
Tensione-Uscita
original standard
-Tensione di Offset (Vt)
same as original
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
original standard
Corrente-Valle (Iv)
same as original
Corrente di Picco-Picco
original standard
Applicazioni
general purpose
Tipo di transistore
2 N-Channel
SPQ
3k/reel
Forward Transconductance - Min:
105 S
Typical Turn-Off Delay Time:
40 ns
Typical Turn-On Delay Time:
25 ns
Fall Time:
15 ns
Rise Time:
19 ns
Channel Mode:
Enhancement
Unit Weight:
0.017870 oz
Lead Shape
No Lead
Pin Count
8
Imballaggio e consegna
Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
19X19X10 cm
Peso loro per unità:
1.000 kg
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| Tempo previsto (giorni) | 15 | Da negoziare |
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Personalizzazione
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