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      SI2309CDS-T1-E3 1 P-Channel transistor MOSFET FETs singoli FETs prodotti a semiconduttore discreti potenza MOSFET (ossido di metallo) SMD/SMT

      Ancora nessuna recensione
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      SI2309CDS-T1-E3
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      original brand
      Tipo del pacchetto
      Superficie di Montaggio

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      Supporto superficiale
      Descrizione
      MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
      Punto d'origine
      original
      Contenitore/Involucro
      SOT-23-3 (a-236)
      Tipo
      Canale P
      Temperatura di funzionamento
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      Serie
      TrenchFET
      D/c
      Più recente
      Applicazione
      Di Uso generale
      Tipo Fornitore
      Rivenditore
      Croce di Riferimento
      SI2309CDS-T1-E3DKR
      Media Disponibile
      Scheda tecnica, Foto, EDA/Modelli CAD
      品名
      Transistor
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      Come l'originale
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      Standard originale
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      Come l'originale
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      Standard originale
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Come l'originale
      Potenza-Max
      1W(Ta)1.7W(Tc)
      Frequenza-di Transizione
      Standard originale
      Temperatura di funzionamento
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Tipo di Ontaggio
      Superficie di Montaggio
      Resistenza-Base (R1)
      Come l'originale
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      Standard originale
      Tipo FET
      Canale P
      FET Caratteristica
      Come l'originale
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      60 V
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      1.6A(Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      345mOhm @ 1.25A 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      3V @ 250uA
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      4.1 nC @ 4.5 V
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      210 pF @ 30 V
      Frequenza
      Come l'originale
      Corrente Nominale (Ampere)
      Standard originale
      Figura di rumore
      Come l'originale
      Potenza di Uscita
      1W(Ta)1.7W(Tc)
      -Tensione Nominale
      Come l'originale
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      4.5V 10V
      Vgs (Max)
      ± 20V
      Tipo IGBT
      Standard originale
      Configurazione
      Singolo
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      Standard originale
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      Come l'originale
      Ingresso
      Standard originale
      NTC Termistore
      Come l'originale
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      Standard originale
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Come l'originale
      Consumo di corrente (Id)-Max
      Standard originale
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      Come l'originale
      Resistenza-RDS (On)
      Standard originale
      Tensione
      Come l'originale
      Tensione-Uscita
      Standard originale
      -Tensione di Offset (Vt)
      Come l'originale
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      Standard originale
      Corrente-Valle (Iv)
      Come l'originale
      Corrente di Picco-Picco
      Standard originale
      Applicazioni
      Per scopi generali
      Tipo di transistore
      Canale P
      SPQ
      3k/r
      Tecnologia
      MOSFET (ossido di metallo)
      Tipico tempo di ritardo di Turn-On: 5 ns
      5 ns
      Tipico tempo di ritardo di spegnimento:
      15 ns
      Tempo di caduta:
      10 ns
      Tempo di salita:
      10 ns
      Peso unitario:
      0.000282 oz
      PCB cambiato
      3
      Conteggio dei Pin
      3
      Forma di piombo
      Ala di gabbiano

      Imballaggio e consegna

      Unità di vendita:
      Articolo singolo
      Dimensioni della confezione singola:
      19X19X10 cm
      Peso loro per unità:
      1.000 kg
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