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RJP30E2 transistor igbt originale in silicio a canale n con transistor al plasma a cristalli liquidi tubo originale a diodo specifico al Plasma RJP63K2

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Shenzhen Mingshunxin Electronics Co., LimitdFornitore multi-specialità14 yrsCN

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello
RJP30E2
Tipo
MOSFET
Marca
original
Tipo del pacchetto
TO-220FL

Altri attributi

Tipo di montaggio
Standard
Descrizione
Tubo al plasma a cristalli liquidi
Punto d'origine
Guangdong, China
Contenitore/Involucro
TO-220FL
Tipo
Triodo
Temperatura di funzionamento
-Da 55 a 150 ℃
Serie
Triodo
D/c
Nuovo
Tipo Fornitore
Altro
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
Standard
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
Standard
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
Standard
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Temperatura di funzionamento
-Da 40 °C a 150 °C
Tipo di Ontaggio
Superficie di Montaggio
Tipo IGBT
Standard
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Tipo di transistore
Standard
MOQ
1 pz
Qualità
100% di marca 100%
Pacchetto
TO-220FL
Maggiori dettagli
Triodo

Tempi di consegna

Quantità (parti)1 - 5000 > 5000
Tempo previsto (giorni)1Da negoziare

Personalizzazione

Imballaggio su misura
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