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Wafer di substrato SIC di qualità 6 pollici 4 pollici 3 pollici 2 pollici SIC Wafer per dispositivo epiassiale

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Punto d'origine
Shanghai, China
Marca
xinkehui
Numero del Modello
12inchsic
Tipo
SiC Wafer
Product name
2" 3" 4" 6" sic wafer
Packaging Details
ingle wafer package in 100-grade cleaning room
Materials
SiC Single Crystal 4H-N Type
Grade
Dummy / Research /Production Grade
Thickness
430um Or Customized
Diameter
150±0.5mm

Imballaggio e consegna

Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
50X50X50 cm
Peso loro per unità:
0.500 kg

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Quantità (parti)1 - 500501 - 50000 > 50000
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