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      PSMN4R0-40YS transistor FETs singoli FETs prodotti a semiconduttore discreti MOSFET (ossido di metallo) singola tripla fonte di alimentazione MOSFET

      Ancora nessuna recensione
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      PSMN4R0-40YS 115
      Tipo
      TRANSISTOR
      Marca
      original brand
      Tipo del pacchetto
      Superficie di Montaggio

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      Supporto superficiale
      Descrizione
      Mospet N-CH 40V 100A LFPAK56
      Punto d'origine
      original
      Contenitore/Involucro
      SC-100 SOT-669
      Tipo
      Canale N
      Temperatura di funzionamento
      -55 °C ~ 175 °C (TJ)
      Serie
      Originale
      D/c
      Più recente
      Applicazione
      Di Uso generale
      Tipo Fornitore
      Rivenditore
      Croce di Riferimento
      568-4905-1-ND
      Media Disponibile
      Scheda tecnica, Foto, EDA/Modelli CAD
      品名
      Transistor
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      Standard originale
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      Come l'originale
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      Standard originale
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      Come l'originale
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard originale
      Potenza-Max
      106W (Tc)
      Frequenza-di Transizione
      Come l'originale
      Temperatura di funzionamento
      -55°C ~ 175°C (TJ)
      Tipo di Ontaggio
      Superficie di Montaggio
      Resistenza-Base (R1)
      Standard originale
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      Come l'originale
      Tipo FET
      Canale N
      FET Caratteristica
      Standard originale
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      40 V
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      100A (Tc)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      4.2mOhm @ 15A, 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      4V @ 1mA
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      38 nC @ 10 V
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      2410 pF @ 20 V
      Frequenza
      Standard originale
      Corrente Nominale (Ampere)
      Come l'originale
      Figura di rumore
      Standard originale
      Potenza di Uscita
      106W (Tc)
      -Tensione Nominale
      Come l'originale
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      4.5V 10V
      Vgs (Max)
      ± 20V
      Tipo IGBT
      Standard originale
      Configurazione
      Singola tripla sorgente
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      Standard originale
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      Come l'originale
      Ingresso
      Standard originale
      NTC Termistore
      Come l'originale
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      Standard originale
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Come l'originale
      Consumo di corrente (Id)-Max
      Standard originale
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      Come l'originale
      Resistenza-RDS (On)
      Standard originale
      Tensione
      Come l'originale
      Tensione-Uscita
      Standard originale
      -Tensione di Offset (Vt)
      Come l'originale
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      Standard originale
      Corrente-Valle (Iv)
      Come l'originale
      Corrente di Picco-Picco
      Standard originale
      Applicazioni
      Per scopi generali
      Tipo di transistore
      Canale N
      SPQ
      1.5k/reel
      Tecnologia di processo
      TMOS
      Tecnologia
      MOSFET (ossido di metallo)
      Peso unitario:
      0.003225 oz
      Modalità canale:
      Potenziamento
      Tempo di caduta tipico (ns)
      12
      Numero di canali:
      1 canale
      Numero di elementi per Chip
      1
      PCB cambiato
      4
      Conteggio dei Pin
      5

      Imballaggio e consegna

      Unità di vendita:
      Articolo singolo
      Dimensioni della confezione singola:
      19X19X10 cm
      Peso loro per unità:
      1.000 kg
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      Tempi di consegna

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