P80NF10 MOSFET N-Ch 100 Volt 80 Amp transistor driver amplificatore di potenza mosfet power P80NF10

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Shenzhen Xingyaosheng Technology Co., Ltd.3 yrs

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

P80NF10

Tipo

MOSFET

Marca

Original

Tipo del pacchetto

Altro

Altri attributi

Tipo di montaggio

Standard

Descrizione

Standard

Punto d'origine

Guangdong, China

Contenitore/Involucro

Fino a-220-3

Tipo

MOSFET

Temperatura di funzionamento

-55 C ~ + 175 C

D/c

20 +

Applicazione

PFC/SMPS/up, LED, caricabatterie

Tipo Fornitore

Produttore originale, Agenzia, Rivenditore

Media Disponibile

Scheda tecnica, Foto

品名

Transistor

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

15A

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

230V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

5uA (ICBO)

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

55 @ 1A, 5V

Potenza-Max

150W

Frequenza-di Transizione

30MHz

Temperatura di funzionamento

Tipo di Ontaggio

Through Hole

Resistenza-Base (R1)

N/A

Resistenza-Emettitore Base (R2)

N/A

Tipo FET

N/A

FET Caratteristica

N/A

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

N/A

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

N/A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

N/A

Vgs (th) (Max) @ Id

N/A

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

N/A

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

N/A

Frequenza

N/A

Corrente Nominale (Ampere)

N/A

Figura di rumore

N/A

Potenza di Uscita

N/A

-Tensione Nominale

N/A

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

N/A

Vgs (Max)

N/A

Tipo IGBT

N/A

Configurazione

N/A

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

N/A

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

N/A

Ingresso

N/A

NTC Termistore

N/A

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

N/A

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

N/A

Consumo di corrente (Id)-Max

N/A

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

N/A

Resistenza-RDS (On)

N/A

Tensione

N/A

Tensione-Uscita

-Tensione di Offset (Vt)

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

Corrente-Valle (Iv)

Corrente di Picco-Picco

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