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      MOSFET originale P-Channel 30 V 5A 1.7W transistor a montaggio superficiale SOT-23-3 SI2347DS-T1-GE3

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      Shenzhen Goldeleway Electronics Technology Co., Ltd.Fornitore multi-specialità14 yrsCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      SI2347DS-T1-GE3
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      VISHAY
      Tipo del pacchetto
      SMD

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      SMD
      Descrizione
      SC-59/SOT-23-3/TO-236-3
      Punto d'origine
      Armenia
      Contenitore/Involucro
      SMD
      Tipo
      Transistor di montaggio superficiale
      Temperatura di funzionamento
      Standard
      Serie
      Standard
      D/c
      21 +
      Applicazione
      Standard
      Tipo Fornitore
      Produttore originale, Altro
      Media Disponibile
      Scheda tecnica
      品名
      Transistor di montaggio superficiale
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      Standard
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      Standard
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      Standard
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      Standard
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard
      Potenza-Max
      Standard
      Frequenza-di Transizione
      Standard
      Temperatura di funzionamento
      Standard
      Tipo di Ontaggio
      Standard
      Resistenza-Base (R1)
      Standard
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      Standard
      Tipo FET
      Standard
      FET Caratteristica
      Standard di
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      Standard
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      Standard
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Standard
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      Standard
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      Standard
      Frequenza
      Standard
      Corrente Nominale (Ampere)
      Standard
      Figura di rumore
      Standard
      Potenza di Uscita
      Standard
      -Tensione Nominale
      Standard
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      Standard
      Vgs (Max)
      Standard
      Tipo IGBT
      Standard
      Configurazione
      Standard
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      Standard
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      Standard
      Ingresso
      Standard
      NTC Termistore
      Standard
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      Standard
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Standard
      Consumo di corrente (Id)-Max
      Standard
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      Standard
      Resistenza-RDS (On)
      Standard
      Tensione
      Standard
      Tensione-Uscita
      Standard
      -Tensione di Offset (Vt)
      Standard
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      Standard
      Corrente-Valle (Iv)
      Standard
      Corrente di Picco-Picco
      Standard
      Applicazioni
      Standard
      Tipo di transistore
      Standard
      Nome del prodotto
      MOSFET modalità di miglioramento del canale
      Pacchetto
      Scatola del tubo del vassoio della bobina
      Stile
      Transistor
      Qualità
      Prodotti originali
      Servizio
      Lista Bom
      Metodo di spedizione
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      Entro 3 giorni lavorativi

      Imballaggio e consegna

      Pacchetto
      Cartone
      Orificio
      Shenzhen

      Capacità di fornitura

      Capacità di fornitura
      100000 Parte/parti per Week
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      Tempi di consegna

      Quantità (parti)1 - 1011 - 100101 - 1000 > 1000
      Tempo previsto (giorni)5710Da negoziare

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