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      Transistor IGBT nuovo e originale 600V 80A 290W 40 n60 FGH40N60 FGH40N60SMD

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      Shenzhen Lexinshiji Technology Co., Ltd.3 yrsCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      FGH40N60
      Tipo
      IGBT Transistor
      Marca
      Original
      Tipo del pacchetto
      Durante il foro

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      THT
      Descrizione
      THT
      Punto d'origine
      China
      Contenitore/Involucro
      TO-247-3
      D/c
      2021 +
      Applicazione
      /
      Tipo Fornitore
      Produttore originale
      Media Disponibile
      Scheda tecnica, Altro
      品名
      Transistor IGBT
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      /
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      /
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      /
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      /
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      /
      Potenza-Max
      /
      Frequenza-di Transizione
      /
      Temperatura di funzionamento
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      Tipo di Ontaggio
      Through Hole
      Resistenza-Base (R1)
      /
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      /
      Tipo FET
      /
      FET Caratteristica
      /
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      /
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      /
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      /
      Vgs (th) (Max) @ Id
      /
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      /
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      /
      Frequenza
      /
      Corrente Nominale (Ampere)
      /
      Figura di rumore
      /
      Potenza di Uscita
      /
      -Tensione Nominale
      /
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      /
      Vgs (Max)
      /
      Tipo IGBT
      /
      Configurazione
      /
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      /
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      /
      Ingresso
      /
      NTC Termistore
      /
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      /
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      /
      Consumo di corrente (Id)-Max
      /
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      /
      Resistenza-RDS (On)
      /
      Tensione
      /
      Tensione-Uscita
      /
      -Tensione di Offset (Vt)
      /
      Corrente-Valle (Iv)
      /
      Corrente di Picco-Picco
      /
      Applicazioni
      /
      Categoria di prodotto:
      Transistor IGBT
      Configurazione:
      Singolo
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      80A
      Carica del cancello
      120nC
      Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
      2.9V @ 15V, 40A
      Potenza-Max
      290W
      Peso dell'unità:
      6g

      Imballaggio e consegna

      Unità di vendita:
      Articolo singolo
      Dimensioni della confezione singola:
      1X1X1 cm
      Peso loro per unità:
      1.000 kg
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