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      Nuovo Transistor elettronico Coponent 40N60 TO-3P 40N60 IGBT 40N60 Mosfet mosfet igbt

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      Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.Fornitore multi-specialità3 yrsCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      40N60NPFD
      Tipo
      Regolatore di tensione
      Marca
      mosfet igbt
      Tipo del pacchetto
      Superficie di Montaggio

      Altri attributi

      Descrizione
      Nuovo Originale
      Punto d'origine
      Guangdong, China
      Contenitore/Involucro
      TO-247-3
      D/c
      Più nuovo
      Applicazione
      Elettrodomestici
      Tipo Fornitore
      Produttore originale, Agenzia, Rivenditore
      Media Disponibile
      Foto
      品名
      Discreto A Semiconduttore Transistor, Marca di Orignal
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      40A
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      1200V
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      1.7V 15V ,20A
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      60A
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Originale parametri standard
      Potenza-Max
      310W
      Frequenza-di Transizione
      Originale parametri standard
      Temperatura di funzionamento
      -40 °C ~ 175 °C(TJ)
      Tipo di Ontaggio
      TO-3P
      Resistenza-Base (R1)
      Originale parametri standard
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      Originale parametri standard
      Tipo FET
      Originale parametri standard
      FET Caratteristica
      Originale parametri standard
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      Originale parametri standard
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      40A
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      Originale parametri standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Originale parametri standard
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      Originale parametri standard
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      Originale parametri standard
      Frequenza
      Originale parametri standard
      Corrente Nominale (Ampere)
      Originale parametri standard
      Figura di rumore
      Originale parametri standard
      Potenza di Uscita
      Originale parametri standard
      -Tensione Nominale
      Originale parametri standard
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      Originale parametri standard
      Vgs (Max)
      Originale parametri standard
      Tipo IGBT
      Originale parametri standard
      Configurazione
      Originale parametri standard
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      Originale parametri standard
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      Originale parametri standard
      Ingresso
      Originale parametri standard
      NTC Termistore
      Originale parametri standard
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      Originale parametri standard
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Originale parametri standard
      Consumo di corrente (Id)-Max
      Originale parametri standard
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      Originale parametri standard
      Resistenza-RDS (On)
      Originale parametri standard
      Tensione
      Originale parametri standard
      Tensione-Uscita
      Originale parametri standard
      -Tensione di Offset (Vt)
      Originale parametri standard
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      Originale parametri standard
      Corrente-Valle (Iv)
      Originale parametri standard
      Corrente di Picco-Picco
      Originale parametri standard
      Applicazioni
      PCB

      Imballaggio e consegna

      Pacchetto
      Originale
      Orificio
      shenzhen

      Capacità di fornitura

      Capacità di fornitura
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