Tipo di montaggio
Power Mosfet Transistor
Descrizione
The HC4616 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications
Punto d'origine
Guangdong, China
Contenitore/Involucro
SOP8
Tipo
N+P Channel MOSFET HC4616 AO4616
Temperatura di funzionamento
-40 - 125℃
Serie
Power Mosfet Transistor
Tipo Fornitore
Produttore originale
Croce di Riferimento
AO4616 Si5332 cd08816 X9314wmiz-3
Media Disponibile
Scheda tecnica
品名
N+P Channel Multifunctional MOSFET
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
Standard
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
Standard
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
N+P channel 30V\-30V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
7A\-6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mΩ\27mΩ
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Corrente Nominale (Ampere)
Standard
Potenza di Uscita
Standard
-Tensione Nominale
Standard
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
Standard
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
Standard
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
Standard
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Consumo di corrente (Id)-Max
Standard
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
Standard
Resistenza-RDS (On)
Standard
-Tensione di Offset (Vt)
Standard
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
Standard
Corrente-Valle (Iv)
Standard
Corrente di Picco-Picco
Standard
Tipo di transistore
N+P Power Mosfet Transistor
Transistors Mosfet
HC4616 AO4616
N+P-Channel Mosfet
30V 7A 30V 6A
Vds Drain-Source Voltage
30v\-30V
VGS Gate-Source Voltage
20V
Quality
100% Original 100% Brand