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      MW7IC2725N TO-270 RF LDMOS Larga Banda Amplificatori di Potenza Integrato

      Ancora nessuna recensione
      Shenzhen H-Tec Network Technology Co., Ltd.7 yrsCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      MW7IC2725N

      Tipo
      RF TRANSISTOR

      Marca
      ORIGINLA

      Tipo del pacchetto
      Durante il foro

      Altri attributi

      Punto d'origine
      Japan

      Contenitore/Involucro
      standard

      D/c
      latest

      Applicazione
      Amplificatore

      Tipo Fornitore
      Agenzia, Rivenditore

      品名
      Power amplifier

      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      standard

      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      standard

      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      standard

      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      standard

      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      standard

      Potenza-Max
      standard

      Frequenza-di Transizione
      standard

      Temperatura di funzionamento
      standard

      Tipo di Ontaggio
      Through Hole

      Resistenza-Base (R1)
      standard

      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      standard

      Tipo FET
      standard

      FET Caratteristica
      GaNFET (Nitruro di Gallio)

      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      standard

      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      standard

      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      standard

      Vgs (th) (Max) @ Id
      standard

      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      standard

      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      standard

      Frequenza
      standard

      Corrente Nominale (Ampere)
      standard

      Figura di rumore
      standard

      Potenza di Uscita
      standard

      -Tensione Nominale
      standard

      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      standard

      Vgs (Max)
      standard

      Tipo IGBT
      standard

      Configurazione
      Mezzo Ponte

      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      standard

      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      standard

      Ingresso
      standard

      NTC Termistore
      standard

      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      standard

      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      standard

      Consumo di corrente (Id)-Max
      standard

      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      standard

      Resistenza-RDS (On)
      standard

      Tensione
      standard

      Tensione-Uscita
      standard

      -Tensione di Offset (Vt)
      standard

      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      standard

      Corrente-Valle (Iv)
      standard

      Corrente di Picco-Picco
      standard

      Applicazioni
      PCB

      Type
      Field-Effect Transistor

      Type 1
      mosfet

      Type 4
      RF transistor

      Type 7
      microwave transistor

      Type 3
      RF MOSFET Transistor

      Type 2
      high frequency transistor

      Type 5
      Field Effect Transistors

      Type 6
      transistor

      type 8
      mosfet power amplifiers

      type 9
      transistor mosfet

      Imballaggio e consegna

      Pacchetto
      MW7IC2725N TO-270 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

      Orificio
      SZ

      Capacità di fornitura

      Capacità di fornitura
      10000 Parte/parti per Day Mosfet MW7IC2725N

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      Shenzhen H-Tec Network Technology Co., Ltd.
      7 anniSituato presso CN
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