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Circuito integrato due transistor polare 100V 2A DIP TO-252 MJD117 MJD117-1G transistor Darlington

Ancora nessuna recensione4 ordini
Shenzhen Wanxinwei Technology Co., Ltd.Fornitore multi-specialità9 yrsCN

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello
MJD117-1G
Tipo
Darlington Transistor
Marca
Original brand
Tipo del pacchetto
A-252

Altri attributi

Descrizione
.
Punto d'origine
Johor, Malaysia
Contenitore/Involucro
.
Serie
.
D/c
Nuovo
Applicazione
.
Tipo Fornitore
Produttore originale, ODM, Agenzia
Croce di Riferimento
MJD117T4G
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto, EDA/Modelli CAD
品名
.
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
..
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
.
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
.
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
..
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
.
Potenza-Max
.
Frequenza-di Transizione
.
Temperatura di funzionamento
.
Tipo di Ontaggio
.
Resistenza-Base (R1)
..
Resistenza-Emettitore Base (R2)
..
Tipo FET
.
FET Caratteristica
.
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
..
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
.
Rds On (Max) @ Id, Vgs
.
Vgs (th) (Max) @ Id
.
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
.
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
..
Frequenza
.
Corrente Nominale (Ampere)
.
Figura di rumore
..
Potenza di Uscita
.
-Tensione Nominale
.
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
.
Vgs (Max)
..
Tipo IGBT
.
Configurazione
.
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
..
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
.
Ingresso
.
NTC Termistore
.
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
.
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
..
Consumo di corrente (Id)-Max
.
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
.
Resistenza-RDS (On)
..
Tensione
.
Tensione-Uscita
.
-Tensione di Offset (Vt)
.
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
.
Corrente-Valle (Iv)
.
Corrente di Picco-Picco
.
Applicazioni
.
Libero da
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Di garanzia
365 giorni
ROHS
Modi di pagamento
T/T,Western Union,MoneyGram,Paypal,Alipay, Impegno
In magazzino
Del campione
Supporto
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