InGaAs Impulso Avalanche Fotodiodo Per OTDR

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Wuhan Shengshi Optical Technology Co., Ltd.10 yrs

CN

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

MAP-3XXXM4

Marca

Shengshi Optical

Altri attributi

Tipo

Avalanche PhotoDiode

Punto d'origine

Hubei, China

Tipo del pacchetto

Through Hole

Applicazione

OTDR

Tipo Fornitore

Produttore originale

Media Disponibile

Scheda tecnica, Foto

Tensione di andata massima

-

Tensione d'inversione massima

45V(VBR)

Corrente di andata massima

10mA

Corrente d'inversione massima

0.5mA

Product name

Avalanche PhotoDiode

Chip material

InGaAs

Wavelength

1100-1650nm

Application

OTDR

Shape

3 Pin

Type

Fiber pigtail

Certification

ISO9001

Warranty

12 Months

Shipment Method

DHL TNT UPS FEDEX

Lead time

2-5days

Imballaggio e consegna

Pacchetto

Standard ESD package with TNT/UPS/SF-Express

Orificio

Wuhan/Shenzhen

Capacità di fornitura

Capacità di fornitura

30000 Parte/parti per Month

Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore

Quantità minima d'ordine: 1 parte

10,00 USD - 80,00 USD

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