IRLL110TRPBF potenza MOSFET (ossido di metallo) 1 N-canale 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta) 3.1W (Tc) montaggio superficiale transistor SOT-223

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Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrs

CN

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

IRLL110TRPBF

Tipo

Transistor

Marca

Original Brand

Tipo del pacchetto

Superficie di Montaggio

Altri attributi

Tipo di montaggio

Surface Mount

Descrizione

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Punto d'origine

Original

Contenitore/Involucro

TO-261-4 TO-261AA

Tipo

1 N-Channel

Temperatura di funzionamento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Serie

HEXFET

D/c

newest

Applicazione

Di Uso generale

Tipo Fornitore

Rivenditore

Croce di Riferimento

IRLL110PBFDKR

Media Disponibile

Scheda tecnica, Foto, EDA/Modelli CAD, Other

品名

Transistor

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

same as original

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

original standard

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

same as original

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

original standard

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

same as original

Potenza-Max

2W (Ta) 3.1W (Tc)

Frequenza-di Transizione

original standard

Temperatura di funzionamento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di Ontaggio

Superficie di Montaggio

Resistenza-Base (R1)

same as original

Resistenza-Emettitore Base (R2)

original standard

Tipo FET

N-Channel

FET Caratteristica

same as original

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

100 V

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

1.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 900mA 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250uA

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 30V

Frequenza

original standard

Corrente Nominale (Ampere)

same as original

Figura di rumore

original standard

Potenza di Uscita

2W (Ta)3.1W (Tc)

-Tensione Nominale

original standard

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

same as original

Vgs (Max)

same as original

Tipo IGBT

same as original

Configurazione

Singolo

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

same as original

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

original standard

Ingresso

same as original

NTC Termistore

original standard

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

same as original

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

original standard

Consumo di corrente (Id)-Max

same as original

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

original standard

Resistenza-RDS (On)

same as original

Tensione

original standard

Tensione-Uscita

same as original

-Tensione di Offset (Vt)

original standard

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

same as original

Corrente-Valle (Iv)

original standard

Corrente di Picco-Picco

same as original

Applicazioni

General Purpose

Tipo di transistore

1 N-Channel

SPQ

2.5k/reel

Number of Elements per Chip

2

PCB changed

3

Pin Count

4

Lead Shape

Gull-wing

Unit Weight:

0.008818 oz

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Channel Mode

Enhancement

Rise Time:

47 ns

Fall Time:

18 ns

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Articolo singolo

Dimensioni della confezione singola:

19X19X10 cm

Peso loro per unità:

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