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IPD80P03P4L-07 650V P-canale di potenza MOSFET transistor diodo a triodo effetto campo transistor componente elettronico IPD80P03P4L-07

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Shenzhen Mingshunxin Electronics Co., LimitdFornitore multi-specialità14 yrsCN

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello
RJP30E2
Tipo
MOSFET
Marca
original
Tipo del pacchetto
Fino a-252-3

Altri attributi

Tipo di montaggio
Standard
Descrizione
650V P-canale di potenza MOSFET
Punto d'origine
Guangdong, China
Contenitore/Involucro
TO-220FL
Tipo
TriodeMOSFET
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ a 175 ℃
Serie
Triodo
D/c
Nuovo
Tipo Fornitore
Altro
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
Standard
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
Standard
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
Standard
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Temperatura di funzionamento
-Da 40 °C a 150 °C
Tipo di Ontaggio
Superficie di Montaggio
Tipo IGBT
Standard
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Tipo di transistore
Standard
MOQ
1 pz
Qualità
100% di marca 100%
Pacchetto
Fino a-252-3
Maggiori dettagli
Transistor MOSFET

Tempi di consegna

Quantità (parti)1 - 5000 > 5000
Tempo previsto (giorni)1Da negoziare

Personalizzazione

Imballaggio su misura
Min. ordine: 1000

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2 - 199 parti
1,13 €
>= 200 parti
0,7505 €

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