Transistor IGBT 650V 80A con pacchetto di 247 a bassa perdita di potenza per PFC up saldatore PV Inverter e Inverter solare

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Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yr

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

AKG80T65UFH

Tipo

Transistor

Marca

AIKO

Tipo del pacchetto

Foro passante

Altri attributi

Tipo di montaggio

Attraverso i fori

Descrizione

Alta impedenza di ingresso, VCE(sat)= 1.45V (typ.) @ IC = 80A, 650V80A Trench Trench Transistor IGBT, Coefficiente di temperatura positivo, Commutazione ad alta velocità e bassa perdita di potenza

Punto d'origine

Zhejiang, China

Contenitore/Involucro

Da 247

Tipo

Transistor IGBT

Temperatura di funzionamento

-50 ℃ ~ + 175 ℃ (TJ)

Serie

IGBT

Applicazione

PFC UPS saldatore e PV Inverter

Tipo Fornitore

Produttore originale, ODM

Media Disponibile

Scheda tecnica, Foto

品名

Transistor IGBT AKG80T65UFH 650 v80a

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

80A(TC = 100 ℃), 160A(TC = 25 ℃)

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

650V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.8V

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

80 bis

Temperatura di funzionamento

-50 °C ~ 175 °C (TJ)

Tipo di Ontaggio

Through Hole

Vgs (th) (Max) @ Id

6.0V

Corrente Nominale (Ampere)

80 bis

-Tensione Nominale

650V

Tipo IGBT

Trincea FieldStop

Configurazione

Singolo

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

1.45V

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3680pf

Consumo di corrente (Id)-Max

80 bis

Tensione-Uscita

650V

-Tensione di Offset (Vt)

± 20V

Corrente-Valle (Iv)

80 bis

Corrente di Picco-Picco

160A

Applicazioni

PFC UPS saldatore e PV Inverter

Tipo di transistore

Transistor IGBT

VCES

650V

Collettore corrente 1

80A(TC = 100 ℃)

Collettore corrente 2

160A(TC = 25 ℃)

Corrente del collettore pulsato

180 bis

Corrente continua a diodo

30A

Corrente massima in avanti del diodo

240A

VCE(sat)

1.45V (typ.) IC = 80A

Tempo di ritardo di spegnimento

133.6ns (typ.)

BVCES

650V (min)

VGE(th) max

6.0V

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