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Di alta Qualità H5TQ1G63EFR-H9C CMOS PBGA96 DDR3 IC di Memoria FLASH 1GB DDR DRAMs

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Attributi chiave

Altri attributi

Punto d'origine
Guangdong, China
Marca
Original
Numero del Modello
H5TQ1G63EFR-H9C
Tipo
Logica ICS
Parte No
H5TQ1G63EFR-H9C
Stato senza piombo
NOPB
Condizione
100% originale
Garanzia
365 giorni
Modi di spedizione
DHL \ UPS
Temperatura di esercizio (C)
-40 ~ 125
Tiem di consegna
3-5 giorni
Modalità di pagamento
LC,TT, papale
Descrizione
H5TQ1G63EFR-H9C CMOS PBGA96 DDR3 IC
Articolo principale
DRAMs H5TQ1G63EFR-H9C di alta qualità
D/C
Codice nuovo giorno
Pacchetto
BGA96

Imballaggio e consegna

Pacchetto
Tray, reel, tube IC Memory FLASH 1GB DDR DRAMs
Orificio
HK SHENZHEN

Capacità di fornitura

Capacità di fornitura
500000 Parte/parti per Week IC di Memoria FLASH 1GB DDR DRAMs

Tempi di consegna

Quantità (parti)1 - 5000 > 5000
Tempo previsto (giorni)3Da negoziare

Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore

Quantità minima d'ordine: 10 parti
0,7231 CN¥ - 7,24 CN¥

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