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Di alta Qualità H5TQ1G63EFR-H9C CMOS PBGA96 DDR3 IC di Memoria FLASH 1GB DDR DRAMs
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Wuhan Amsemi Tech Co., Ltd.
8 yrs
CN
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Attributi chiave
Altri attributi
Punto d'origine
Guangdong, China
Marca
Original
Numero del Modello
H5TQ1G63EFR-H9C
Tipo
Logica ICS
Parte No
H5TQ1G63EFR-H9C
Stato senza piombo
NOPB
Condizione
100% originale
Garanzia
365 giorni
Modi di spedizione
DHL \ UPS
Temperatura di esercizio (C)
-40 ~ 125
Tiem di consegna
3-5 giorni
Modalità di pagamento
LC,TT, papale
Descrizione
H5TQ1G63EFR-H9C CMOS PBGA96 DDR3 IC
Articolo principale
DRAMs H5TQ1G63EFR-H9C di alta qualità
D/C
Codice nuovo giorno
Pacchetto
BGA96
Imballaggio e consegna
Pacchetto
Tray, reel, tube IC Memory FLASH 1GB DDR DRAMs
Orificio
HK SHENZHEN
Capacità di fornitura
Capacità di fornitura
500000 Parte/parti per Week IC di Memoria FLASH 1GB DDR DRAMs
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Tempi di consegna
Quantità (parti)
1 - 5000
> 5000
Tempo previsto (giorni)
3
Da negoziare
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0,7231 CN¥ - 7,24 CN¥
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