Punto d'origine
Guangdong, China
Materiale del circuito integrato
InGaN
Dispersione di potere
1000
Angolo di visione (°)
120/140
Indice di rappresentazione di colore (Ra)
70
Temperatura di colore
890nm
Temperatura di funzionamento (℃)
-20 - 65
Temperatura di immagazzinaggio (℃)
-20 - 65
Wavelength
880nm-890nm-900nm
Product Type
3W High Power IR LED
Power Range
1-500W available
LED chips
Epileds Epistar Sanan
Near Infrared LED
700nm 710nm 720nm 730nm 740nm 750nm 760nm 770nm 780nm
Low Infrared LED
808 nm 830nm 850nm 870 nm 910nm 940nm 980nm-1300nm
Middle Infrared
1600nm 1100nm 1200nm 1300nm-4600nm