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HY3506P transistor MOS ad effetto di campo HY3506 HY3506P

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Shenzhen Huashanweihai Electronics Co., Ltd.Fornitore multi-specialità3 yrsCN

Attributi chiave

Altri attributi

Punto d'origine
Guangdong, China
Marca
Original
Numero del Modello
HY3506
Tipo di montaggio
standard
Descrizione
standard
Applicazione
standard
Tipo
standard
Serie
standard
Caratteristiche
standard
Codice della Data di produzione
standard
Type
integrated circuit
Specifications
standard
Serial Interfaces
standard
Memory Type
standard
Current - Output (Max)
standard
Voltage - Off State
standard
Current Transfer Ratio (Min)
standard
Voltage - Supply
standard
Input Range
standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ)
standard

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Quantità (parti)1 - 100 > 100
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