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      Great Brand New SKiM401TMLI12E4B SKiM 4 Trench IGBT Modules 1200 V 400 A SKiM401TMLI12E4B SKIIP IGBT MOSFET

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      Shenzhen Mingweida Electronics Co., Ltd.1 yrCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      SKiM401TMLI12E4B

      Tipo
      IGBT Transistor

      Marca
      Original

      Tipo del pacchetto
      -

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      standard

      Descrizione
      standard

      Punto d'origine
      Guangdong, China

      Contenitore/Involucro
      standard

      Tipo
      standard

      Temperatura di funzionamento
      standard

      Serie
      standard

      D/c
      NEW

      Applicazione
      Del driver MOSFET

      Tipo Fornitore
      Produttore originale

      Croce di Riferimento
      -

      Media Disponibile
      Scheda tecnica

      品名
      standard

      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      standard

      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      -

      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      -

      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      -

      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -

      Potenza-Max
      standard

      Frequenza-di Transizione
      standard

      Temperatura di funzionamento
      standard

      Tipo di Ontaggio
      Through Hole

      Resistenza-Base (R1)
      -

      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      -

      Tipo FET
      standard

      FET Caratteristica
      Standard di

      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      -

      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      -

      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      -

      Vgs (th) (Max) @ Id
      -

      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      -

      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      -

      Frequenza
      -

      Corrente Nominale (Ampere)
      -

      Figura di rumore
      -

      Potenza di Uscita
      -

      -Tensione Nominale
      -

      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      --

      Vgs (Max)
      -

      Tipo IGBT
      -

      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      -

      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      -

      Ingresso
      -

      NTC Termistore
      --

      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      -

      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -

      Consumo di corrente (Id)-Max
      -

      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      -

      Resistenza-RDS (On)
      -

      Tensione
      -

      Tensione-Uscita
      --

      -Tensione di Offset (Vt)
      -

      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      -

      Corrente-Valle (Iv)
      -

      Corrente di Picco-Picco
      -

      Applicazioni
      -

      Tipo di transistore
      -

      Part Number
      SKiM401TMLI12E4B

      Manufacturer
      Semikron Danfoss

      Quality
      Brand New

      Lead Time
      1-2Days

      MOQ
      1

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      Shenzhen Mingweida Electronics Co., Ltd.
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