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G3R160MT17D Mosfet Transistor N-Channel 1700 V 21A (Tc) 175W (Tc) New Original Electronic Component IC Chip BOM Service
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Shenzhen Amaxing Technology Co., Ltd.
3 yrs
CN
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Attributi chiave
Specifica di base del settore
Tipo
MOSFET
Marca
GeneSiC Semiconductor
Tipo del pacchetto
Through Hole
Altri attributi
Descrizione
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Contenitore/Involucro
TO-247-3
Serie
N-Channel
D/c
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Applicazione
Del driver MOSFET
品名
G3R160MT17D
Potenza-Max
175W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di Ontaggio
Through Hole
Tipo FET
N-Channel
FET Caratteristica
-
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
1700 V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
208mOhm @ 12A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.7V @ 5mA
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 15 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1272 pF @ 1000 V
Frequenza
Standard
Corrente Nominale (Ampere)
---
Figura di rumore
Standard
Potenza di Uscita
---
-Tensione Nominale
Standard
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
15V
Vgs (Max)
±15V
Consumo di corrente (Id)-Max
21A (Tc)
Model Number:
G3R160MT17D
Shipment Terms
DHL,UPS,TNT,FedEx,EMS or Post
Payment Terms
T/T,Western Union,PayPal,Escrow
Lead time
Immediately Shipment
Quality Warranty
365days
Imballaggio e consegna
Pacchetto
Tube
Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
1X1X1 cm
Peso loro per unità:
5.000 kg
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Shenzhen Amaxing Technology Co., Ltd.
3 anni
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