Transistor Fairchild muslimexatsg80n60 IGBT 600V 80A

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SHENZHEN EPAMIC TECHNOLOGY CO., LIMITED1 yr

HK

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

SGH80N60UFD

Tipo

JFET

Marca

JDP/Fairchild/china

Tipo del pacchetto

/

Altri attributi

Tipo di montaggio

Attraverso il foro

Punto d'origine

Guangdong, China

Contenitore/Involucro

3P

Tipo

IGBT ultravalico

Temperatura di funzionamento

150 °C (TJ)

D/c

20 +

Tipo Fornitore

Produttore originale, ODM, Agenzia

Croce di Riferimento

/

Media Disponibile

Scheda tecnica, Foto

品名

G80N60

Applicazioni

(Audio e Scopo generale)

Corrente di scarico-Max (ID)

/

Descrizione

IGBT ultravalico

Tecnologia FET

SEMICONDUTTORE DI OSSIDO DI METALLO

Tensione di ripartizione DS-Min

/

Corrente di scarico pulsata-Max (IDM)

/

Mfr. #:

SGH80N60UFD

Prezzo

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Prodotto

G80N60

Categoria

IGBT

Imballaggio

Tubo

Imballaggio e consegna

Orificio

shenzhen

Capacità di fornitura

Capacità di fornitura

10000000 Parte/parti per Week

Tempi di consegna

Quantità (parti)	1 - 10000	> 10000
Tempo previsto (giorni)	4	Da negoziare

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