Transistor MDmesh MOSFET da EC-Mart a-220-3 potenza STP11NM80

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EC Mart Trading (Shenzhen) Limited7 yrs

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

STP11NM80

Tipo

MOSFET

Marca

original brand

Tipo del pacchetto

Superficie di Montaggio

Altri attributi

Tipo di montaggio

SMD/SMT

Descrizione

Transistor

Punto d'origine

California, United States

Contenitore/Involucro

Fino a-247-3

Serie

STP11NM80

D/c

Nuovo

品名

STP11NM80

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Potenza-Max

Frequenza-di Transizione

Temperatura di funzionamento

Tipo di Ontaggio

Through Hole

Resistenza-Base (R1)

Resistenza-Emettitore Base (R2)

Tipo FET

FET Caratteristica

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

Frequenza

Corrente Nominale (Ampere)

Figura di rumore

Potenza di Uscita

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

Tipo IGBT

Configurazione

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

Ingresso

NTC Termistore

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

Resistenza-RDS (On)

Tensione

Tensione-Uscita

-Tensione di Offset (Vt)

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

Corrente-Valle (Iv)

Corrente di Picco-Picco

Applicazioni

Polarità del Transistor

Canale N

Numero di canali

1 canale

Tensione di rottura Vds - Drain-Source

800 V

Id-corrente di drenaggio continuo

11 A

Rds On - Drain-Source di resistenza

400 mOhms

Vgs - Gate-tensione sorgente

-30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-tensione di soglia sorgente

3 V

Temperatura minima di esercizio

-65 C

Temperatura massima di esercizio

+ 150 C

Pd-dissipazione di potenza

150 W

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