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Transistor EC-Mart IGBT 43A 1200V NCh w/Anti parallelo Hyprfst Dd HGTG11N120CND

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Attributi chiave

Altri attributi

Punto d'origine
California, United States
Marca
original brand
Numero del Modello
HGTG11N120CND
Tipo di montaggio
SMD/SMT
Descrizione
ICs
Numero di parte
HGTG11N120CND
Collettore-emettitore tensione VCEO Max
1200 V
Corrente continua del collettore a 25 C
43 A
Pd-dissipazione di potenza
298 W
Temperatura minima di esercizio
-55 C
Temperatura massima di esercizio
+ 150 C
Imballaggio
Tubo
Tensione massima emettitore Gate
20 V
Larghezza
4.82mm
Stile di montaggio
Foro passante

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Quantità (parti)1 - 10000 > 10000
Tempo previsto (giorni)5Da negoziare

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