EC Mart GEN PURP 600V 6A TO252AA RURD660 diodo RURD660S9A

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EC Mart Trading (Shenzhen) Limited7 yrs

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

RURD660S9A

Tipo

MOSFET

Marca

original brand

Tipo del pacchetto

Altri attributi

Tipo di montaggio

SMD/SMT

Descrizione

Transistor

Punto d'origine

California, United States

Contenitore/Involucro

Fino a-247-3

D/c

Applicazione

品名

RURD660S9A

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Potenza-Max

Frequenza-di Transizione

Temperatura di funzionamento

Tipo di Ontaggio

Resistenza-Base (R1)

Resistenza-Emettitore Base (R2)

Tipo FET

FET Caratteristica

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

Frequenza

Corrente Nominale (Ampere)

Figura di rumore

Potenza di Uscita

-Tensione Nominale

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

Vgs (Max)

Tipo IGBT

Configurazione

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

Ingresso

NTC Termistore

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Consumo di corrente (Id)-Max

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

Resistenza-RDS (On)

Tensione

Tensione-Uscita

-Tensione di Offset (Vt)

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

Corrente-Valle (Iv)

Corrente di Picco-Picco

Applicazioni

Numero di parte

RURD660S9A

Tensione-DC inversa (Vr) (Max)

600 V

Corrente-media rettificata (Io)

Tensione-avanti (Vf) (Max) @ If

1.5 V @ 6 A

Velocità

Recupero veloce 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60 ns

Perdita corrente-inversa @ Vr

100 uA @ 600 V

Pacchetto/custodia

TO-252AA

Numero di modello

RURD660S9A

Numero di prodotto Base

RURD660

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