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Nuovi circuiti integrati originali del Transistor di SMD del MOS di 50V 130MA SOT23-3 di MOSFET del Chip del PD di BSS84 di COPOER

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Ansoyo Electronic LimitedFornitore multi-specialità5 yrsCN

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello
BSS84LT1G
Tipo
Power MOSFET
Marca
COPOER
Tipo del pacchetto
Durante il foro

Altri attributi

Punto d'origine
Guangdong, China
Contenitore/Involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
D/c
New
Applicazione
Del driver MOSFET
Tipo Fornitore
Produttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore
Media Disponibile
Scheda tecnica
品名
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
-
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
-
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
-
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
-
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Potenza-Max
-
Frequenza-di Transizione
-
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di Ontaggio
Superficie di Montaggio
Resistenza-Base (R1)
-
Resistenza-Emettitore Base (R2)
-
Tipo FET
P-Channel
FET Caratteristica
-
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
50V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 0.25mA
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 5V
Frequenza
-
Corrente Nominale (Ampere)
-
Figura di rumore
-
Potenza di Uscita
-
-Tensione Nominale
-
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
5V
Vgs (Max)
±20V
Tipo IGBT
-
Configurazione
-
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
-
Ingresso
-
NTC Termistore
-
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
-
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Consumo di corrente (Id)-Max
-
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
-
Resistenza-RDS (On)
-
Tensione
-
Tensione-Uscita
-
-Tensione di Offset (Vt)
-
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
-
Corrente-Valle (Iv)
-
Corrente di Picco-Picco
-
Applicazioni
-
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