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CED3120 N-canale modalità di miglioramento effetto di campo Transistor a-251(I-PAK)

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello
CED3120
Tipo
MOSFET
Marca
CET
Tipo del pacchetto
Fino a-251(I-PAK)

Altri attributi

Tipo di montaggio
Specifiche del cliente
Descrizione
Transistor a effetto di campo in modalità di potenziamento del canale N
Punto d'origine
Taiwan
Contenitore/Involucro
Fino a-251(I-PAK)
Media Disponibile
CET
品名
Transistor a effetto di campo in modalità di potenziamento del canale N
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ a 150 ℃
Marchio
CET
Tensione di scarico
30V
Gate-sorgente Voltage2
± 20V
Corrente di scarico-continua
36A
Scarico corrente-pulsato
144 bis
Massima dissipazione di potenza @ TC = 25 °C
33W
Resistenza termica, da giunzione a caso
3.8 °C/W
Resistenza termica, giunzione-ambiente
50 °C/W

Imballaggio e consegna

Pacchetto
Fino a-251(I-PAK)
Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
0.67X1.5X0.24 cm
Peso loro per unità:
0.001 kg

Tempi di consegna

Quantità (parti)1 - 8081 - 10001001 - 10000 > 10000
Tempo previsto (giorni)202020Da negoziare
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