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      Circuito a transistor 300 a montaggio superficiale a canale P muslim60 V 150mA (Ta) PG-SOT323 mW (Ta)

      Ancora nessuna recensione
      Yunfu Hongkong Electronics Co.,Ltd.2 yrsCN

      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      BSS84PWH6327XTSA1
      Tipo
      TRANSISTORE
      Marca
      original brand
      Tipo del pacchetto
      Superficie di Montaggio

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      Supporto per superficie
      Descrizione
      MOSFET P-CH SOT323-3 60V 150MA
      Punto d'origine
      original
      Contenitore/Involucro
      SC-70 SOT-323
      Tipo
      Canale P
      Temperatura di funzionamento
      -55 °C ~ 150 °C (TJ)
      Serie
      SIPMOS
      D/c
      Più recente
      Applicazione
      Di Uso generale
      Tipo Fornitore
      Rivenditore
      Croce di Riferimento
      SP000917564
      Media Disponibile
      Scheda tecnica, Foto, EDA/Modelli CAD
      品名
      Transistor
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      Standard originale
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      Come l'originale
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      Standard originale
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      Come l'originale
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard originale
      Potenza-Max
      300mW (Ta)
      Frequenza-di Transizione
      Come l'originale
      Temperatura di funzionamento
      -55°C ~ 150°C (TJ)
      Tipo di Ontaggio
      Superficie di Montaggio
      Resistenza-Base (R1)
      Standard originale
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      Come l'originale
      Tipo FET
      Canale P
      FET Caratteristica
      Standard originale
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      60 V
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      150mA(Ta)
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      8Ohm @ 150mA 10V
      Vgs (th) (Max) @ Id
      2V @ 20uA
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      1.5 nC @ 10 V
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      19.1 pF @ 25 V
      Frequenza
      Standard originale
      Corrente Nominale (Ampere)
      Come l'originale
      Figura di rumore
      Standard originale
      Potenza di Uscita
      300mW (Ta)
      -Tensione Nominale
      Come l'originale
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      4,5 V 10V
      Vgs (Max)
      ± 20V
      Tipo IGBT
      Standard originale
      Configurazione
      Singolo
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      Standard originale
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      Come l'originale
      Ingresso
      Standard originale
      NTC Termistore
      Come l'originale
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      Standard originale
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Come l'originale
      Consumo di corrente (Id)-Max
      Standard originale
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      Come l'originale
      Resistenza-RDS (On)
      Standard originale
      Tensione
      Come l'originale
      Tensione-Uscita
      Standard originale
      -Tensione di Offset (Vt)
      Come l'originale
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      Standard originale
      Corrente-Valle (Iv)
      Come l'originale
      Corrente di Picco-Picco
      Standard originale
      Applicazioni
      SCOPO GENERALE
      Tipo di transistore
      Canale P
      Tecnologia:
      Si
      Numero di canali:
      1 canale
      Forma di piombo
      Ala di gabbiano
      Trasconduttanza in avanti-Min:
      80 mS
      Tempo di ritardo tipico di turno:
      6,7 ns
      Tempo di ritardo tipico di spegnimento:
      8,6 ns
      Tempo di aumento:
      16,2 ns
      Tempo di caduta:
      20,5 ns
      Peso dell'unità:
      0.000212 oz
      SPQ
      3k/reel

      Imballaggio e consegna

      Orificio
      Shenzhen/ Hong Kong
      Unità di vendita:
      Articolo singolo
      Dimensioni della confezione singola:
      19X19X10 cm
      Peso loro per unità:
      1.000 kg
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