Descrizione
Sensori fotoelettrici a infrarossi
Numero del Modello
ESB-B30N
Tipo
Sensore fotoelettrico
Punto d'origine
Guangdong, China
Teoria
Riflessione diffusa
Distanza di rilevamento
2 ~ 300mm (carta bianca opaca)
Sorgente luminosa
Modulazione LED rosso (660 nm)
Tensione di funzionamento
10 ~ 30VDC ± 10%
Temperatura di funzionamento
-25 ~ 55 gradi Celsius
Modalità di commutazione
L.on/D.on (selezionabile)
Metodo di rilevazione
Riflettente diffuso