900V 13A MOSFET N-canale modalità di potenziamento potenza a Transistor MOSFET pacchetto TO-3PN per alimentatori ad alta tensione

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Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yr

Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

AKQA13N90

Tipo

MOSFET

Marca

AIKO

Tipo del pacchetto

Durante il foro

Altri attributi

Tipo di montaggio

Attraverso i fori

Descrizione

Bassa resistenza, 100% prova valanga, Buona stabilità e uniformità con alto EAS, Speciale tecnologia di processo per alta capacità ESD

Punto d'origine

Zhejiang, China

Contenitore/Involucro

TO-3PN

Tipo

Transistor MOSFET

Temperatura di funzionamento

-55 ℃ ~ + 150 ℃

Serie

MOSFET

Applicazione

Alimentatori ad alta tensione o circuiti a impulsi

Tipo Fornitore

Produttore originale, ODM

Media Disponibile

Scheda tecnica, Foto

品名

AKQA13N90 900V 13A N-canale di potenza MOSFET

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

13A(TC = 25 ℃), 6.3A(TC = 100 ℃)

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

900V

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

52A

Potenza-Max

300W

Temperatura di funzionamento

-55 °C ~ 150 °C

Tipo di Ontaggio

Through Hole

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

900V

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

13A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

90nC

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF

Corrente Nominale (Ampere)

13A

-Tensione Nominale

900V

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

3-5V

Configurazione

Singolo

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

900V

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

10uA

Consumo di corrente (Id)-Max

13A

Resistenza-RDS (On)

1.2 Ohm

Tensione

900V

-Tensione di Offset (Vt)

± 30V

Corrente-Valle (Iv)

6.3A

Corrente di Picco-Picco

13A

Applicazioni

Alimentatori ad alta tensione o circuiti a impulsi.

Tipo di transistore

Transistor MOSFET, Canale N, Modalità di miglioramento

VDSS

900V

VGSS

± 30V

Corrente di scarico (TC = 25 ℃)

13A

Corrente di scarico (TC = 100 ℃)

6.3A

Energia valanga a impulso singolo

1100mJ

Massima dissipazione di potenza (TC = 25 ℃)

300W

Tempo di ritardo di spegnimento

260ns

Carica totale del Gate

90nC

Applicazione 1

Alimentatori ad alta tensione

Applicazione 2

Circuiti a impulsi

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