Tipo di montaggio
Foro passante
Descrizione
Bassa resistenza, Speciale tecnologia di processo per alta capacità ESD, 100% prova valanga, Buona stabilità e uniformità con alto EAS
Punto d'origine
Zhejiang, China
Contenitore/Involucro
Da 220
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ + 150 ℃
Applicazione
Alimentatori in modalità commutata
Tipo Fornitore
Produttore originale, ODM
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto
品名
AKT8N80TC 800V 8A N-canale di potenza MOSFET
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
8A(TC = 25 ℃), 5A(TC = 100 ℃)
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
800V
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
32A
Temperatura di funzionamento
-55 °C ~ 150 °C
Tipo di Ontaggio
Through Hole
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
800V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
60nC
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF
Corrente Nominale (Ampere)
8A
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
2-4V
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
800V
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
10uA
Consumo di corrente (Id)-Max
8A
Resistenza-RDS (On)
1.15 Ohm
-Tensione di Offset (Vt)
± 30V
Corrente di Picco-Picco
8A
Applicazioni
Correzione del fattore di potenza attiva
Tipo di transistore
Transistor MOSFET, Canale N, Modalità di miglioramento
Corrente di scarico (TC = 25 ℃)
8A
Corrente di scarico (TC = 100 ℃)
5A
Energia valanga a impulso singolo
940mJ
Massima dissipazione di potenza (TC = 25 ℃)
160W
Tempo di ritardo di spegnimento
68ns
Carica totale del Gate
60nC
Applicazione 1
Alimentatori in modalità commutata
Applicazione 2
Correzione del fattore di potenza attiva e reattori elettronici