Transistor MOSFET di potenza a canale N 650V 8A con bassa resistenza allo stato di accensione per interruttore di alimentazione e illuminazione a LED

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Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yr

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

AKF8N65P

Tipo

MOSFET

Marca

AIKO

Tipo del pacchetto

TO-220F

Altri attributi

Tipo di montaggio

Attraverso i fori

Descrizione

Basse capacità intrinseche, Eccellenti caratteristiche di commutazione, Area operativa estesa sicura, Carica di Gate senza rivali, 100% a valanga

Punto d'origine

Zhejiang, China

Contenitore/Involucro

TO-220F

Tipo

Transistor MOSFET

Temperatura di funzionamento

-55 ℃ ~ + 150 ℃

Serie

MOSFET

Applicazione

Convertitori da DC a DC ad alta efficienza

Tipo Fornitore

Produttore originale, ODM

Media Disponibile

Scheda tecnica, Foto

品名

AKF8N65P 650V 8A N-canale di potenza MOSFET

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

8.0A(TC = 25 ℃), 4.7A(TC = 100 ℃)

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

650V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

30V

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

Potenza-Max

50W

Temperatura di funzionamento

-55 °C ~ 150 °C

Tipo di Ontaggio

Through Hole

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

650V

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

8.0A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35 Ohm

Vgs (th) (Max) @ Id

30V

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

38nC

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V

Corrente Nominale (Ampere)

-Tensione Nominale

650V

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

2.0V

Vgs (Max)

4.0V

Configurazione

Singolo

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

10V

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

560pF

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

650V

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

10-100uA

Consumo di corrente (Id)-Max

7.0A

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

30V

Resistenza-RDS (On)

1.35 Ohm(Max.)

Tensione-Uscita

650V

-Tensione di Offset (Vt)

± 30V

Corrente-Valle (Iv)

4.7A

Corrente di Picco-Picco

Applicazioni

Commutazione rapida

Tipo di transistore

Transistor MOSFET, Canale N, Modalità di miglioramento

VDSS

650V

VGSS

± 30V

Corrente di scarico (TC = 25 ℃)

Corrente di scarico (TC = 100 ℃)

4.7A

Energia valanga a impulso singolo

300mj

Massima dissipazione di potenza (TC = 25 ℃)

50W

Corrente di dispersione del Gate-body, in avanti

100nA

Soglia di tensione del Gate

30V

Applicazione 1

Applicazioni UPS

Applicazione 2

Convertitori DC-DC e alimentazione AC-DC

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