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Wafer in carburo di silicio di qualità D di alta qualità da 6 pollici
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Suzhou Henglixin New Material Co., Ltd.
1 yr
CN
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Attributi chiave
Altri attributi
Punto d'origine
China
Marca
henglixin
Numero del Modello
HLX02135
Tipo
SOI wafer
polytype
4H
surface orientation error
11-20 4±0.15
Dopan
n-type Nitrogen
Resistivity
0.015~0.025
Diamete
150.0±0.2
Thickness
350±25
Primary flat orientation
[1-100]±5
Primary flat lengtr
47.5±1.5
LTV
≤3(5mm*5mm)
TTV
≤10
Imballaggio e consegna
Unità di vendita:
Articolo singolo
Dimensioni della confezione singola:
6X6X0.2 cm
Peso loro per unità:
0.010 kg
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Quantità (parti)
1 - 1
2 - 100
101 - 1000
> 1000
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14
28
28
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1 - 99 parti
390,00 USD
100 - 999 parti
385,00 USD
>= 1000 parti
380,00 USD
Quantità
-
+
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