Transistor 40 n60 muslimigbt G4pc50w 40 n60 Transistor Mosfet Ic Transistor diodo 30 g124 Fgh40n60

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SKU: 1600820976777

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Shenzhen Xinsheng Microelectronics Technology Co., Ltd.3 yrs

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Attributi chiave

Specifica di base del settore

Numero del Modello

40n60

Tipo

Transistor IGBT, TRANSISTOR

Marca

XSW

Tipo del pacchetto

Foro da brivido, TO-3P

Altri attributi

Punto d'origine

China

Contenitore/Involucro

D/c

-, Nuovo

Applicazione

Di Uso generale

Tipo Fornitore

ODM

Media Disponibile

Altro

品名

Corrente-Collettore (Ic) (Max)

-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

Corrente-Collettore di Taglio (Max)

DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Potenza-Max

Frequenza-di Transizione

Temperatura di funzionamento

-, Standard

Resistenza-Base (R1)

Resistenza-Emettitore Base (R2)

Tipo FET

Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)

Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

Frequenza

Corrente Nominale (Ampere)

Figura di rumore

Potenza di Uscita

-Tensione Nominale

Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)

Vgs (Max)

Tipo IGBT

Vce (a) (Max) @ Vge, Ic

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

Ingresso

NTC Termistore

-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)

Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Consumo di corrente (Id)-Max

-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id

Resistenza-RDS (On)

Tensione

Tensione-Uscita

-Tensione di Offset (Vt)

Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)

Corrente-Valle (Iv)

Corrente di Picco-Picco

Applicazioni

Scopo generale

Scheda tecnica

SÌ

MOQ

1000PCS

Modello

40 N60

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