Tipo di montaggio
Foro passante
Descrizione
Tipico on-resistenza: RDS (on) = 1 Ohm(typ.), Alta tensione di blocco, 100% prova valanga, Buona stabilità e uniformità con alto EAS
Punto d'origine
Zhejiang, China
Contenitore/Involucro
Da 247
Tipo
Transistor MOSFET SiC
Temperatura di funzionamento
-55 ℃ ~ + 150 ℃
Applicazione
Switch Mode Power Supplies
Tipo Fornitore
Produttore originale, ODM
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto
品名
AKCT1000N170H 1700V SiC Power MOSFET
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
5A(TC = 25 ℃), 3A(TC = 100 ℃)
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
1725V
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
20A
Temperatura di funzionamento
-40 °C ~ 150 °C
Tipo di Ontaggio
Through Hole
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
1700V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
23nC
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
194pF
Corrente Nominale (Ampere)
5A
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
2.0-4.0V
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
1700V
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
100uA
Consumo di corrente (Id)-Max
5A
-Tensione di Offset (Vt)
-10/+ 25v
Corrente di Picco-Picco
5A
Applicazioni
Alimentatori in modalità Switch
Tipo di transistore
Transistor MOSFET SiC, Canale N
Corrente di scarico (TC = 25 ℃)
5A
Corrente di scarico (TC = 100 ℃)
3A
Corrente di scarico pulsata
20A
Massima dissipazione di potenza (TC = 25 ℃)
62W
Tempo di ritardo di spegnimento
13.8ns
Carica totale del Gate
23nC
Domanda
Alimentatori in modalità Switch