Tipo di montaggio
Foro passante
Descrizione
Tipica sulla resistenza: RDS (on) = 75 Mili Ohm(typ.), Alta tensione di blocco, 100% prova valanga, Buona stabilità e uniformità con alto EAS
Punto d'origine
Zhejiang, China
Contenitore/Involucro
Da 247
Tipo
Transistor MOSFET SiC
Temperatura di funzionamento
-40 ℃ ~ + 175 ℃
Applicazione
Switch Mode Power Supplies
Tipo Fornitore
Produttore originale, ODM
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto
品名
AKCT80N120HB 1200V SiC Power MOSFET
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
33A(TC = 25 ℃), 23,8a (TC = 100 ℃)
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
1225V
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
80 bis
Temperatura di funzionamento
-40 °C ~ 175 °C
Tipo di Ontaggio
Through Hole
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
1200V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
33A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 Milli Ohm
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
75nC
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF
Corrente Nominale (Ampere)
33A
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
2.0-4.2V
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
1200V
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
100uA
Consumo di corrente (Id)-Max
33A
Resistenza-RDS (On)
75 Milli Ohm
-Tensione di Offset (Vt)
-10/+ 25v
Corrente di Picco-Picco
33A
Applicazioni
Alimentatori in modalità Switch
Tipo di transistore
Transistor MOSFET SiC, Canale N
Corrente di scarico (TC = 25 ℃)
33A
Corrente di scarico (TC = 100 ℃)
23.8A
Energia valanga a impulso singolo
800mJ
Massima dissipazione di potenza (TC = 25 ℃)
300W
Tempo di ritardo di spegnimento
50ns
Carica totale del Gate
75nC
Corrente di scarico pulsata
80 bis
Domanda
Alimentatori in modalità Switch