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(RF Power FET 150W 150MHz 50V) transistor MRF150
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3 venduto
Shenzhen Keyongbang Electronics Co., Ltd.
2 yrs
CN
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Attributi chiave
Specifica di base del settore
Numero del Modello
MRF150 transistors
Tipo
MOSFET
Marca
Original
Tipo del pacchetto
Superficie di Montaggio
Altri attributi
Tipo di montaggio
Through Hole
Descrizione
/
Punto d'origine
China
Contenitore/Involucro
TO-220-3
Tipo
JFET, Triode Transistor
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ), Standrad
D/c
In-Stock
Tipo Fornitore
Produttore originale
Croce di Riferimento
2SJ6920
Media Disponibile
Scheda tecnica, Foto
品名
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
Corrente-Collettore (Ic) (Max)
15A
-Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
250V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
202A
Corrente-Collettore di Taglio (Max)
0.5A
DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 3A, 5V
Potenza-Max
333
Frequenza-di Transizione
30MHz
Tipo di Ontaggio
other
Resistenza-Base (R1)
110Ω
Resistenza-Emettitore Base (R2)
200Ω
Tipo FET
N-Channel
FET Caratteristica
Non Applicabile
Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
55V
Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290m0hm 10A,10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V 250HA
Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
54nC 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF 25V
Frequenza
-
Corrente Nominale (Ampere)
5μA
Figura di rumore
-
Potenza di Uscita
-
-Tensione Nominale
5V
Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo IGBT
-
Configurazione
Non Applicabile
Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
-
Ingresso
-
NTC Termistore
-
-Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
-
Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Consumo di corrente (Id)-Max
18 A
-Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
-
Resistenza-RDS (On)
52 mOhms
Tensione
55V
Tensione-Uscita
40V
-Tensione di Offset (Vt)
40V
Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
-
Corrente-Valle (Iv)
-
Corrente di Picco-Picco
-
Applicazioni
other
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90days
ROHS
Yes
Moq
1pcs
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Brand Name
NO brand
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