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      (IGBT) 2MBI150VA-120-50 150A 1200V nuovo originale

      Ancora nessuna recensione
      Shenzhen Shenqiwei Technology Co., Ltd.1 yrCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      2MBI150VA-120-50
      Tipo
      IGBT Transistor
      Marca
      Original Brand
      Tipo del pacchetto
      Durante il foro

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      Foro passante
      Descrizione
      IGBT MOD. Diodo doppio 150A 1200V serie Y4-M6
      Punto d'origine
      Philippines
      Contenitore/Involucro
      Tuffo/vassoio
      Tipo
      IGBT
      Temperatura di funzionamento
      -55 °C ~ 125 °C
      Serie
      IGBT
      D/c
      Più recente
      Applicazione
      Generale di Amplificazione
      Tipo Fornitore
      Produttore originale
      Croce di Riferimento
      /
      Media Disponibile
      Scheda tecnica, Foto
      品名
      /
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      /
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      /
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      -
      Corrente-Collettore di Taglio (Max)
      /
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Potenza-Max
      /
      Frequenza-di Transizione
      /
      Temperatura di funzionamento
      -55 °C ~ 150 °C
      Tipo di Ontaggio
      Through Hole
      Resistenza-Base (R1)
      -
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      -
      Tipo FET
      /
      FET Caratteristica
      Standard di
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      -
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      -
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenza
      -
      Corrente Nominale (Ampere)
      -
      Figura di rumore
      -
      Potenza di Uscita
      -
      -Tensione Nominale
      -
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT
      -
      Configurazione
      Singolo
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      -
      Ingresso
      -
      NTC Termistore
      -
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      -
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Consumo di corrente (Id)-Max
      -
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      -
      Resistenza-RDS (On)
      -
      Tensione
      -
      Tensione-Uscita
      -
      -Tensione di Offset (Vt)
      -
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      -
      Corrente-Valle (Iv)
      -
      Corrente di Picco-Picco
      -
      Applicazioni
      -
      Tipo di transistore
      IGBT
      Stato senza piombo
      RoHS Compliant,PB Free
      Skype
      Ken Lam
      Wechat/whatsapp
      + 86 13510576773

      Imballaggio e consegna

      Pacchetto
      Nuovo e Origina, imballaggio sigillato in fabbrica, sarà pacchetto in uno di questi tipo di imballaggio: tubo, vassoio, nastro e bobina, nastro e scatola, imballaggio alla rinfusa, borsa ed ecc. Si prega gentilmente di contattare il venditore se avete bisogno di assistenti o richiesta.
      Orificio
      Shenzhen,Shanghai,Hong Kong

      Capacità di fornitura

      Capacità di fornitura
      10000 Parte/parti per Week
      Mostra di più

      Tempi di consegna

      Quantità (parti)1 - 23 - 500 > 500
      Tempo previsto (giorni)714Da negoziare

      Personalizzazione

      Imballaggio su misura
      Min. ordine: 10000
      Per ulteriori dettagli sulla personalizzazione, invia messaggio al fornitore

      Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore

      2 - 499 parti
      144,41 CN¥
      >= 500 parti
      90,26 CN¥

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