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      (Componente elettronico) C2M1000170 C2M1000170D potenza carburo di silicio N-type MOSFET 5 a1700v a-247-3 nuovo originale

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      Shenzhen Shenqiwei Technology Co., Ltd.1 yrCN
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      Attributi chiave

      Specifica di base del settore

      Numero del Modello
      C2M1000170D
      Tipo
      MOSFET
      Marca
      Original Brand
      Tipo del pacchetto
      Durante il foro

      Altri attributi

      Tipo di montaggio
      Foro passante
      Descrizione
      Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3 Pin
      Punto d'origine
      Philippines
      Contenitore/Involucro
      TO247/tubo
      Tipo
      MOSFET
      Temperatura di funzionamento
      -55 °C ~ 150 °C
      Serie
      C2M1000170D
      D/c
      Più recente
      Applicazione
      Generale di Amplificazione
      Tipo Fornitore
      Produttore originale
      Media Disponibile
      Scheda tecnica, Foto
      品名
      IGBT
      Corrente-Collettore (Ic) (Max)
      /
      -Tensione di Collettore di Emettitore di Ripartizione (Max)
      /
      Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic
      -
      DC Guadagno di Corrente (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Potenza-Max
      /
      Frequenza-di Transizione
      /
      Temperatura di funzionamento
      -55°C ~ 150°C
      Tipo di Ontaggio
      Through Hole
      Resistenza-Base (R1)
      -
      Resistenza-Emettitore Base (R2)
      -
      Tipo FET
      /
      FET Caratteristica
      Diodo Schottky (Isolato)
      Di scarico per Fonte di Tensione (Vdss)
      -
      Corrente-Scarico Continuo (Id) @ 25 °C
      -
      Rds On (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Cancello di Carica (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenza
      -
      Corrente Nominale (Ampere)
      -
      Figura di rumore
      -
      Potenza di Uscita
      -
      -Tensione Nominale
      -
      Tensione di pilotaggio (Max Rds Su, Min Rds On)
      -
      Vgs (Max)
      -
      Tipo IGBT
      -
      Configurazione
      Singolo
      Vce (a) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
      -
      Ingresso
      -
      NTC Termistore
      -
      -Tensione di Rottura (V (BR) GSS)
      -
      Corrente-di Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Consumo di corrente (Id)-Max
      -
      -Tensione di Taglio (VGS off) @ Id
      -
      Resistenza-RDS (On)
      -
      Tensione
      -
      Tensione-Uscita
      -
      -Tensione di Offset (Vt)
      -
      Corrente-Gate per Anodo Perdite (Igao)
      -
      Corrente-Valle (Iv)
      -
      Corrente di Picco-Picco
      -
      Applicazioni
      -
      Tipo di transistore
      MOSFET
      Stato senza piombo
      RoHS Compliant,PB Free
      Skype
      Ken Lam
      Wechat/whatsapp
      + 86 13510576773

      Imballaggio e consegna

      Pacchetto
      Nuovo e Origina, imballaggio sigillato in fabbrica, sarà pacchetto in uno di questi tipo di imballaggio: tubo, vassoio, nastro e bobina, nastro e scatola, imballaggio alla rinfusa, borsa ed ecc. Si prega gentilmente di contattare il venditore se avete bisogno di assistenti o richiesta.
      Orificio
      Shenzhen,Shanghai,Hong Kong

      Capacità di fornitura

      Capacità di fornitura
      10000 Parte/parti per Week
      Mostra di più

      Tempi di consegna

      Quantità (parti)1 - 23 - 800 > 800
      Tempo previsto (giorni)714Da negoziare

      Personalizzazione

      Imballaggio su misura
      Min. ordine: 10000
      Per ulteriori dettagli sulla personalizzazione, invia messaggio al fornitore

      Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore

      2 - 799 parti
      4,00 USD
      >= 800 parti
      2,40 USD

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