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Vicino Infrarosso Diodo Ad Emissione Luminosa di Alto Potere 1 W 3 W LED IR 760nm 980nm per il Cancro Curare
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Shenzhen Yingfeng Opto-Electronic Co., Ltd.
8 yrs
CN
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Attributi chiave
Altri attributi
Punto d'origine
China
Materiale del circuito integrato
InGaN
Emissione del colore
IR LED
Intensità luminosa
800-1000 MW
Flusso luminoso (lm)
800-1000 MW
Attenuazione ottica (%)
0
Dispersione di potere
2
Angolo di visione (°)
60/120
Indice di rappresentazione di colore (Ra)
0
Temperatura di colore
700-1050nm
Temperatura di funzionamento (℃)
-45 - 85
Temperatura di immagazzinaggio (℃)
-45 - 85
Marca
HY
Emissione del Colore
IR
Flusso luminoso (lm)
170 mW/SR
Dissipazione di potenza
600-800 mW
Angolo di visione (°)
45/60/120
Temperatura di colore
700-1650nm
Temperatura di funzionamento (℃)
40-85
Temperatura di stoccaggio (℃)
40-85
Corrente di andata
350-700 mA
Die
InGaN
Resina:
Silicone (water clear)
Imballaggio e consegna
Pacchetto
22*22*4 2000PCS
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Descrizioni dei prodotti da parte del fornitore
Quantità minima d'ordine: 50 parti
1,50 USD
Quantità
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