Punto d'origine
Hebei, China
Materiale
Carburo di silicio (SiC)
Refrattarietà (grado)
Common (1580°< Refractoriness< 1770°)
Servizio di Elaborazione
Stampaggio
Raw material
Imported from Saint-Gobain
Sintering temperature
2400℃
Using temperature
1200-1650℃
Bending srength(1100degree)
100-120Mpa
Thermal conducitivity
26W/MK
Thermal expansion a @20-1000degree
5.0